DMP2900UFBQ-7B, MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V X1-DFN1006-3 T&R 10K
нет фото
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8018688708
- Артикул
- DMP2900UFBQ-7B
- Бренд
- DIODES INC.
- Brand:
- Diodes Incorporated
- Fall Time:
- 89 ns
- Rise Time:
- 15 ns
- Вес, г
- 1
Цена по запросу
(от 29,95 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Fall Time: | 89 ns |
| Rise Time: | 15 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | X1-DFN1006-3 |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 700 pC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 10000 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 1.11 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -6 V, +6 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 16 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 213 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 990 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 1.5 Ohms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 1…2.5 В |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 8 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±10В |