Diodes Inc P-Channel MOSFET, 4.2 A, 20 V, 3-Pin SOT-23 DMP2305U-7
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8024395895
- Артикул
- DMP2305U-7
- Бренд
- DIODES INC.
- PPAP
- No
- Width
- 1.4mm
- Brand:
- Diodes Incorporated
- EU RoHS
- Compliant
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор полевой N-MOSFET DMP2305U-7 от DIODES INCORPORATED - высококачественный компонент для эффективного управления электронными схемами. Монтаж типа SMD облегчает интеграцию в печатные платы. Ток стока достигает 4,2А, что подходит для работы с сильноточными нагрузками, в то время как напряжение сток-исток 20В обеспечивает уверенную работу в широком диапазоне напряжений. Мощность транзистора в 1,4Вт и низкое сопротивление в открытом состоянии, всего 0,06 Ом, гарантируют высокую эффективность и минимальные потери мощности. Корпус SOT23 обеспечивает компактность устройства, что делает DMP2305U7 идеальным выбором для разработки современной электроники. Отличный выбор для области применения в управлении мощностью, регулировании напряжения и других задачах, где требуются надежность и эффективность. Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид N-MOSFET Монтаж SMD Ток стока, А 4.2 Напряжение сток-исток, В 20 Мощность, Вт 1.4 Сопротивление в открытом состоянии, Ом 0.06 Корпус SOT23
Технические параметры
| PPAP | No |
| Width | 1.4mm |
| Brand: | Diodes Incorporated |
| EU RoHS | Compliant |
| Series: | DMP2305 |
| Mounting | Surface Mount |
| Product: | MOSFET Small Signal |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Fall Time: | 23.2 ns |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Rise Time: | 13 ns |
| Вес, г | 1 |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Active |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Package Type | SOT-23 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | SOT-23 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration | Single |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-23-3 |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | SOT-23 |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Maximum IDSS (uA) | 1 |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 7.6 nC |
| Структура | P-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Standard Package Name | SOT |
| Typical Fall Time (ns) | 23.2 |
| Typical Rise Time (ns) | 13 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 1.4 W |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 1.4 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 7.6 nC @ 4.5 V |
| Supplier Temperature Grade | Automotive |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -8 V, +8 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -8 V, +8 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 14 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 20 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 53.8 ns |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Id - Continuous Drain Current: | 4.2 A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 0.9V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 1400 |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 7.6 4.5V |
| Maximum Drain Source Resistance | 113 mΩ |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±8 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 14 |
| Maximum Continuous Drain Current | 4.2 A |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 20 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 53.8 |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 60 mOhms |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 0.9 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 4.2 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 727 20V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 20 V |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 60 4.5V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 500 mV |
| Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | 100 |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 4.2 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.4 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±10В |