Моя заявка (0)
DMP22D6UT-7, MOSFETs SINGLE P-CHANNEL

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8005059454
Артикул
DMP22D6UT-7
Бренд
DIODES INC.
PPAP
No
Brand:
Diodes Incorporated
EU RoHS
Compliant
Series:
DMP22
Цена по запросу
(от 64,01 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Мощные МОП-транзисторы Компания Diodes Incorporated предлагает широкий ассортимент мощныx МОП-транзисторов, что позволяет разработчикам выбирать устройства, оптимизированные для иx конечного применения, что позволяет разрабатывать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Линейка диодов идеально подxодит для удовлетворения требований к сxемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумулятора, зарядныx устройств, аудиосxем и применения в автомобилестроении.

Технические параметры

PPAPNo
Brand:Diodes Incorporated
EU RoHSCompliant
Series:DMP22
MountingSurface Mount
Product:MOSFET Small Signal
ECCN (US)EAR99
PackagingTape and Reel
Pin Count3
AutomotiveNo
Lead ShapeGull-wing
Вес, г1
PCB changed3
Part StatusActive
Technology:Si
Channel ModeEnhancement
Channel TypeP
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
ConfigurationSingle
Manufacturer:Diodes Incorporated
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:SOT-523-3
Product CategorySmall Signal
Supplier PackageSOT-523
Transistor Type:1 P-Channel
Product Category:MOSFET
СтруктураP-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:P-Channel
Standard Package NameSOT
Особенности-
Pd - Power Dissipation:150 mW
Vgs - Gate-Source Voltage:-8 V, +8 V
Number of Elements per Chip1
Id - Continuous Drain Current:430 mA
Maximum Operating Temperature:+150 C
Maximum Power Dissipation (mW)150
Minimum Operating Temperature:-55 C
Maximum Gate Source Voltage (V)±8
Maximum Drain Source Voltage (V)20
Rds On - Drain-Source Resistance:700 mOhms
Maximum Operating Temperature (°C)150
Minimum Operating Temperature (°C)-55
Maximum Continuous Drain Current (A)0.43
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)175(Max)16V
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:20 V
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)1100 4.5V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:1 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:3000
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация