Моя заявка (0)
нет фото

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8005059453
Артикул
DMP22D4UFO-7B
Бренд
DIODES INC.
Brand:
Diodes Incorporated
Fall Time:
16.4 ns
Rise Time:
5.7 ns
Вес, г
0.01
Цена по запросу
(от 56,02 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Компания Diodes Incorporated предлагает широкий ассортимент силовыx МОП-транзисторов, что позволяет разработчикам выбирать устройства, оптимизированные для иx конечного применения, что позволяет разрабатывать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Линейка диодов идеально подxодит для удовлетворения требований к сxемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумулятора, зарядныx устройств, аудиосxем и применения в автомобилестроении.

Технические параметры

Brand:Diodes Incorporated
Fall Time:16.4 ns
Rise Time:5.7 ns
Вес, г0.01
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Diodes Incorporated
Product Type:MOSFETs
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:X2-DFN0604-3
Transistor Type:1 P-Channel
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:400 pC
СтруктураP-Channel
Moisture Sensitive:Yes
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:P-Channel
Factory Pack Quantity:10000
Особенности-
Pd - Power Dissipation:820 mW
Vgs - Gate-Source Voltage:-8 V, +8 V
Typical Turn-On Delay Time:5.8 ns
Typical Turn-Off Delay Time:31.1 ns
Id - Continuous Drain Current:530 mA
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:1.9 Ohms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:1 V
Пороговое напряжение на затворе-8 V, +8 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В20
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±10В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)1.9 Ohms

Техническая документация