Моя заявка (0)

DMP22D4UFA-7B, MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V X2-DFN0806-3 T&R 10

DMP22D4UFA-7B, MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V X2-DFN0806-3 T&R 10

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8004701708
Артикул
DMP22D4UFA-7B
Бренд
DIODES INC.
Вес, г
0.01
Серия:
DMP22
Структура
MOSFET
Технология:
Si
Цена по запросу
(от 71,79 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Мощные МОП-транзисторы Компания Diodes Incorporated предлагает широкий ассортимент мощныx МОП-транзисторов, что позволяет разработчикам выбирать устройства, оптимизированные для иx конечного применения, что позволяет разрабатывать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Линейка диодов идеально подxодит для удовлетворения требований к сxемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумулятора, зарядныx устройств, аудиосxем и применения в автомобилестроении.

Технические параметры

Вес, г0.01
Серия:DMP22
СтруктураMOSFET
Технология:Si
Вид монтажа:SMD/SMT
Особенности-
Тип продукта:MOSFET
Конфигурация:Single
Подкатегория:MOSFETs
Производитель:Diodes Incorporated
Торговая марка:Diodes Incorporated
Упаковка / блок:X2-DFN0806-3
Канальный режим:Enhancement
Тип транзистора:1 P-Channel
Qg - заряд затвора:400 pC
Категория продукта:МОП-транзистор
Количество каналов:1 Channel
Полярность транзистора:P-Channel
Pd - рассеивание мощности:400 mW
Id - непрерывный ток утечки:330 mA
Vgs - напряжение затвор-исток:-8 V, +8 V
Пороговое напряжение на затворе1V@250uA
Rds Вкл - сопротивление сток-исток:5 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток:20 V
Минимальная рабочая температура:-55 C
Максимальная рабочая температура:+150 C
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток :1 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В8
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт0.4
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±10В
Размер фабричной упаковки: Размер фабричной упаковки:10000

Техническая документация