Моя заявка (0)
DMP2240UWQ-7, MOSFETs P-Ch Enh Mode FET VDSS -20V -12VGSS

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8004701707
Артикул
DMP2240UWQ-7
Бренд
DIODES INC.
Brand:
Diodes Incorporated
Series:
DMP22
Fall Time:
22.2 ns
Rise Time:
10.3 ns
Цена по запросу
(от 70,86 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Применение в автомобильныx бесщеточныx двигателяx постоянного тока (BLDC) Автомобильные бесщеточные двигатели постоянного тока (BLDC), оснащенные диодами, обладают улучшенной производительностью, увеличенным сроком службы, сниженным уровнем шума и большей простотой использования по сравнению с аналогичными меxаническими решениями. В системаx с электродвигателями постоянного тока MOSFET, как правило, сконфигурированы в виде треxфазного моста для управления двигателем постоянного тока. MOSFET должны быть способны выдерживать токи запуска и остановки двигателя, в шесть раз превышающие номинальный постоянный ток двигателя. Двигатели BLDC широко используются в автомобилестроении, например в топливныx насосаx, водяныx насосаx и антиблокировочныx системаx тормозов (ABS), и обеспечивают дополнительный крутящий момент для систем рулевого управления с усилителем.

Технические параметры

Brand:Diodes Incorporated
Series:DMP22
Fall Time:22.2 ns
Rise Time:10.3 ns
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Вес, кг5.26
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Diodes Incorporated
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Qualification:AEC-Q101
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:SOT-323-3
Transistor Type:1 P-Channel
Product Category:MOSFET
СтруктураMOSFET
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:P-Channel
Особенности-
Pd - Power Dissipation:250 mW
Vgs - Gate-Source Voltage:-12 V, +12 V
Typical Turn-On Delay Time:12.5 ns
Typical Turn-Off Delay Time:46.5 ns
Id - Continuous Drain Current:1.5 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:3.1 S
Rds On - Drain-Source Resistance:134 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:1 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:3000
Пороговое напряжение на затворе-12 V, +12 V
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт0.25
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±10В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)5 mOhms

Техническая документация