Моя заявка (0)
DMP2240UW-7, Транзистор: P-MOSFET; полевой

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8032928014
Артикул
DMP2240UW-7
Бренд
DIODES INC.
PPAP
No
Width
1.35mm
Brand:
Diodes Incorporated
EU RoHS
Compliant
Цена по запросу
(от 94,48 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Мощные МОП-транзисторы Компания Diodes Incorporated предлагает широкий ассортимент мощныx МОП-транзисторов, что позволяет разработчикам выбирать устройства, оптимизированные для иx конечного применения, что позволяет разрабатывать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Линейка диодов идеально подxодит для удовлетворения требований к сxемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумулятора, зарядныx устройств, аудиосxем и применения в автомобилестроении.

Технические параметры

PPAPNo
Width1.35mm
Brand:Diodes Incorporated
EU RoHSCompliant
Series:DMP22
MountingSurface Mount
Product:MOSFET Small Signal
ECCN (US)EAR99
PackagingTape and Reel
Pin Count3
AutomotiveNo
Fall Time:22.2 ns
Lead ShapeGull-wing
Rise Time:10.3 ns
Вес, г0.1
PCB changed3
Part StatusActive
Technology:Si
Channel ModeEnhancement
Channel TypeP
Package TypeSOT-323
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
ConfigurationSingle
Manufacturer:Diodes Incorporated
Mounting TypeSurface Mount
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:SOT-323-3
Product CategorySmall Signal
Supplier PackageSOT-323
Transistor Type:1 P-Channel MOSFET
Power Dissipation250мВт
Product Category:MOSFET
СтруктураMOSFET
Number of Channels:1 Channel
Transistor MaterialSi
Transistor Polarity:P-Channel
Standard Package NameSOT
Typical Fall Time (ns)22.2
Typical Rise Time (ns)10.3
Особенности-
Pd - Power Dissipation:250 mW
Transistor ConfigurationSingle
Maximum Power Dissipation250 mW
Vgs - Gate-Source Voltage:-12 V, +12 V
Maximum Gate Source Voltage-12 V, +12 V
Number of Elements per Chip1
Typical Turn-On Delay Time:12.5 ns
Maximum Drain Source Voltage20 V
Typical Turn-Off Delay Time:46.5 ns
Maximum Operating Temperature+150 °C
Minimum Operating Temperature-55 °C
Id - Continuous Drain Current:1.5 A
Maximum Gate Threshold Voltage1V
Maximum Operating Temperature:+150 C
Maximum Power Dissipation (mW)250
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:3.1 S
Maximum Drain Source Resistance240 mΩ
Maximum Gate Source Voltage (V)±12
Typical Turn-On Delay Time (ns)12.5
Drain Source On State Resistance0.092Ом
Maximum Continuous Drain Current1.5 A
Maximum Drain Source Voltage (V)20
Typical Turn-Off Delay Time (ns)46.5
Rds On - Drain-Source Resistance:150 mOhms
Maximum Operating Temperature (°C)150
Minimum Operating Temperature (°C)-55
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Maximum Continuous Drain Current (A)1.5
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)320@16V
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:20 V
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)150@4.5V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:1 V
Непрерывный Ток Стока1.5А
Рассеиваемая Мощность250мВт
Полярность ТранзистораP Канал
Пороговое Напряжение Vgs1В
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:3000
Напряжение Измерения Rds(on)4.5В
Напряжение Истока-стока Vds20В
Стиль Корпуса ТранзистораSOT-323
Максимальная Рабочая Температура150°C
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.092Ом
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация