Моя заявка (0)
DMP2200UDW-7, MOSFETs Dual -20V P-Ch FET 260mOhm -4.5V -0.9A

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8006261802
Артикул
DMP2200UDW-7
Бренд
DIODES INC.
Channel Type
P Channel
Вес, кг
44.4
Структура
MOSFET
Power Dissipation (Pd)
450mW
Цена по запросу
(от 73 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Channel TypeP Channel
Вес, кг44.4
СтруктураMOSFET
Power Dissipation (Pd)450mW
Особенностиполевая сборка
Квалификация-
Total Gate Charge (Qg@Vgs)2.1nC@4.5V
Power Dissipation N Channel450мВт
Power Dissipation P Channel450мВт
Input Capacitance (Ciss@Vds)184pF@10V
Continuous Drain Current (Id)900mA
Линейка Продукции-
Количество Выводов6вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Непрерывный Ток Стока900мА
Рассеиваемая Мощность450мВт
Drain Source On State Resistance N Channel0.18Ом
Drain Source On State Resistance P Channel0.18Ом
Полярность ТранзистораP Канал
Пороговое Напряжение Vgs1.2В
Напряжение Измерения Rds(on)4.5В
Напряжение Истока-стока Vds20В
Стиль Корпуса ТранзистораSOT-363
Непрерывный Ток Стока, N Канал900мА
Непрерывный Ток Стока, P Канал900мА
Пороговое напряжение на затворе1.2V@250uA
Максимальная Рабочая Температура150°C
Напряжение Истока-стока Vds, N Канал20В
Напряжение Истока-стока Vds, P Канал20В
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В20
Стандарты Автомобильной Промышленности-
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)-
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.18Ом
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А0.9
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт0.45
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±10В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)260mΩ@4.5V, 880mA