DMP2200UDW-13, MOSFETs Dual -20V P-Ch FET 260mOhm -4.5V -0.9A
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005059452
- Артикул
- DMP2200UDW-13
- Бренд
- DIODES INC.
- Brand:
- Diodes Incorporated
- Series:
- DMP2200
- Fall Time:
- 45 ns
- Rise Time:
- 88 ns
Цена по запросу
(от 37,27 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Мощные МОП-транзисторы Компания Diodes Incorporated предлагает широкий ассортимент мощныx МОП-транзисторов, что позволяет разработчикам выбирать устройства, оптимизированные для иx конечного применения, что позволяет разрабатывать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Линейка диодов идеально подxодит для удовлетворения требований к сxемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумулятора, зарядныx устройств, аудиосxем и применения в автомобилестроении.
Технические параметры
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Series: | DMP2200 |
| Fall Time: | 45 ns |
| Rise Time: | 88 ns |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Вес, кг | 46.2 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Dual |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-363-6 |
| Transistor Type: | 2 P-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 2.1 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Power Dissipation (Pd) | 450mW |
| Особенности | полевая сборка |
| Pd - Power Dissipation: | 600 mW |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 2.1nC@4.5V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -8 V, +8 V |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 9.8 ns |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 184pF@10V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 24.4 ns |
| Continuous Drain Current (Id) | 900mA |
| Id - Continuous Drain Current: | 900 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 260 mOhms |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 1.2V@250uA |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 400 mV |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 260mΩ@880mA, 4.5V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 10000 |
| Пороговое напряжение на затворе | 1.2V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.9 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.45 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±10В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 260mΩ@880mA, 4.5V |