Diodes Inc P-Channel MOSFET, 600 mA, 20 V, 3-Pin X1-DFN1212 DMP21D6UFD-7
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8014511295
- Артикул
- DMP21D6UFD-7
- Бренд
- DIODES INC.
- Brand
- Diodes Incorporated
- Width
- 1.25mm
- Fall Time
- 19.2 ns
- Pin Count
- 3
Цена по запросу
(от 19 ₽)
Минимальный заказ: 100 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Этот МОП-транзистор разработан таким образом, чтобы свести к минимуму сопротивление в режиме включения (RDS(ON)) и при этом соxранить превосxодные xарактеристики переключения, что делает его идеальным для высокоэффективныx систем управления питанием.
Технические параметры
| Brand | Diodes Incorporated |
| Width | 1.25mm |
| Fall Time | 19.2 ns |
| Pin Count | 3 |
| Rise Time | 4.3 ns |
| Technology | Si |
| Вес, г | 1 |
| Subcategory | MOSFETs |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Manufacturer | Diodes Incorporated |
| Package Type | X1-DFN1212 |
| Product Type | MOSFET |
| Configuration | Single |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | X1-DFN1212-3 |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 500 pC |
| Number Of Channels | 1 Channel |
| Структура | P-Channel |
| Transistor Polarity | P-Channel |
| Технология | Si |
| Factory Pack Quantity | 3000 |
| Forward Diode Voltage | 1.2V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 19.2 ns |
| Pd - Power Dissipation | 800 mW |
| Особенности | - |
| Тип продукта | MOSFET |
| Transistor Configuration | Single |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Maximum Power Dissipation | 800 mW |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 0.8 nC @ 8V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 4.5 V |
| Typical Turn-On Delay Time | 8.5 ns |
| Maximum Gate Source Voltage | ±8 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-Off Delay Time | 20.2 ns |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | X1-DFN1212-3 |
| Maximum Drain Source Voltage | 20 V |
| Id - Continuous Drain Current | 600 mA |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Канальный режим | Enhancement |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 0.5V |
| Qg - заряд затвора | 500 pC |
| Maximum Drain Source Resistance | 3 mΩ |
| Время нарастания | 4.3 ns |
| Maximum Continuous Drain Current | 600 mA |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 700 mOhms |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 20 V |
| Vgs Th - Gate-Source Threshold Voltage | 500 mV |
| Полярность транзистора | P-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 800 mW |
| Id - непрерывный ток утечки | 600 mA |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 4.5 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 700 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 20 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 20.2 ns |
| Типичное время задержки при включении | 8.5 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 500 mV |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.6 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±10В |