DMP21D0UFB4-7R, MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V X2-DFN1006-3 T&R 3K
нет фото
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8006263541
- Артикул
- DMP21D0UFB4-7R
- Бренд
- DIODES INC.
- Brand:
- Diodes Incorporated
- Вес, г
- 1
- Technology:
- Si
- Subcategory:
- Transistors
Цена по запросу
(от 63 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Product Type: | MOSFETs |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 1.5 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Power Dissipation (Pd) | 430mW |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 990 mW |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 1.5nC@8V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -8 V, +8 V |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 76.5pF@10V |
| Continuous Drain Current (Id) | 770mA |
| Id - Continuous Drain Current: | 770 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 495 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 1V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.43 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±10В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 495mΩ@400mA, 4.5V |