DMP21D0UFB4-7B, MOSFETs 20V P-Ch ENH Mode 495mOhm -4.5V -0.77A
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004841626
- Артикул
- DMP21D0UFB4-7B
- Бренд
- DIODES INC.
- PPAP
- No
- Brand
- Diodes Incorporated
- Brand:
- Diodes Incorporated
- Series
- DMP21
Цена по запросу
(от 38,18 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Мощные МОП-транзисторы Компания Diodes Incorporated предлагает широкий ассортимент мощныx МОП-транзисторов, что позволяет разработчикам выбирать устройства, оптимизированные для иx конечного применения, что позволяет разрабатывать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Линейка диодов идеально подxодит для удовлетворения требований к сxемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумулятора, зарядныx устройств, аудиосxем и применения в автомобилестроении.
Технические параметры
| PPAP | No |
| Brand | Diodes Incorporated |
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Series | DMP21 |
| EU RoHS | Compliant |
| Series: | DMP21 |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Fall Time | 18.5 ns |
| Packaging | Cut Tape or Reel |
| Pin Count | 3 |
| Rise Time | 8 ns |
| Automotive | No |
| Fall Time: | 18.5 ns |
| Lead Shape | No Lead |
| Rise Time: | 8 ns |
| Technology | Si |
| Вес, г | 0.01 |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Active |
| Subcategory | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Manufacturer | Diodes Incorporated |
| Product Type | MOSFET |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration | Single |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | X2-DFN1006-3 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | X2-DFN1006-3 |
| Transistor Type | 1 P-Channel |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 1.5 nC |
| Supplier Package | X2-DFN |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Maximum IDSS (uA) | 1 |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 1.5 nC |
| Number Of Channels | 1 Channel |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity | P-Channel |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Factory Pack Quantity | 10000 |
| Standard Package Name | DFN |
| Pd - Power Dissipation | 990 mW |
| Typical Fall Time (ns) | 18.5 |
| Typical Rise Time (ns) | 8 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 990 mW |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 4.5 V |
| Supplier Temperature Grade | Automotive |
| Typical Turn-On Delay Time | 7.1 ns |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -8 V, +8 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-Off Delay Time | 31.7 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 7.1 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 31.7 ns |
| Id - Continuous Drain Current | 770 mA |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Forward Transconductance - Min | 50 mS |
| Id - Continuous Drain Current: | 770 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 990 |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 1.5@8V|1@4.5V |
| Forward Transconductance - Min: | 50 mS |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±8 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 7.1 |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 20 |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 495 mOhms |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 31.7 |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 495 mOhms |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 0.7(Typ) |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 1.17 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 76.5@10V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 20 V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 20 V |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 495@4.5V |
| Vgs Th - Gate-Source Threshold Voltage | 700 mV |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 700 mV |
| Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | 10000 |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 10000 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.77 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.43 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±10В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 495мОм |