DMP21D0UFB-7B, 20V 770mA 430mW 495m @4.5V,400mA X1-DFN1006-3 Single FETs, MOSFETs RoHS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062584765
- Артикул
- DMP21D0UFB-7B
- Бренд
- DIODES INC.
- Вес, г
- 0.09
- Длина
- 1 mm
- Серия
- DMP21D0UFB
- Высота
- 0.5 mm
Цена по запросу
(от 51,80 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор 20V P-Ch Enh FET Pd .43W -8Vgss -5.0A
Технические параметры
| Вес, г | 0.09 |
| Длина | 1 mm |
| Серия | DMP21D0UFB |
| Высота | 0.5 mm |
| Ширина | 0.6 mm |
| Продукт | MOSFET |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 18.5 ns |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single with ESD Protection Diode |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | X1-DFN1006-3 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 P-Channel, ESD |
| Qg - заряд затвора | 1.5 nC |
| Время нарастания | 8 ns |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | P-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 430 mW |
| Id - непрерывный ток утечки | 770 mA |
| Размер фабричной упаковки | 10000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 8 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 960 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 20 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 31.7 ns |
| Типичное время задержки при включении | 7.1 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 700 mV |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 50 mS |