Моя заявка (0)

DMP2160UFDBQ-7, Dual MOSFET, P Channel, 20 V, 20 V, 3.8 A, 3.8 A, 0.054 ohm

DMP2160UFDBQ-7, Dual MOSFET, P Channel, 20 V, 20 V, 3.8 A, 3.8 A, 0.054 ohm

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8012526701
Артикул
DMP2160UFDBQ-7
Бренд
DIODES INC.
Вес, г
0.121
Серия
DMP2160
Структура
P-Channel
Технология
Si
Цена по запросу
(от 108 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор Dual P-Ch Enh FET VDSS -20V -12VGSS

Технические параметры

Вес, г0.121
СерияDMP2160
СтруктураP-Channel
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Время спада27.54 ns
Особенностиполевая сборка
Тип продуктаMOSFET
КвалификацияAEC-Q101
КонфигурацияDual
ПодкатегорияMOSFETs
Торговая маркаDiodes Incorporated
Упаковка / блокU-DFN2020-B-6
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора2 P-Channel
Qg - заряд затвора6.5 nC
Время нарастания12.09 ns
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов2 Channel
Полярность транзистораP-Channel
Pd - рассеивание мощности1.4 W
Id - непрерывный ток утечки3.8 A
Размер фабричной упаковки3000
Vgs - напряжение затвор-исток12 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток68 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток20 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Типичное время задержки выключения55.34 ns
Типичное время задержки при включении11.51 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток900 mV
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А3.8
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт1.4
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±10В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.054 Ом