Моя заявка (0)

DMP2120U-7,Power MOSFET, P Channel, 20 V, 3.8 A, 0.051 ohm, SOT-23, Surface Mount

DMP2120U-7,Power MOSFET, P Channel, 20 V, 3.8 A, 0.051 ohm, SOT-23, Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8072390489
Артикул
DMP2120U-7
Бренд
DIODES INC.
Brand
Diodes Incorporated
Brand:
Diodes Incorporated
Fall Time
23.2 ns
Rise Time
15.7 ns
Цена по запросу
(от 19 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Мощные МОП-транзисторы Компания Diodes Incorporated предлагает широкий ассортимент мощныx МОП-транзисторов, что позволяет разработчикам выбирать устройства, оптимизированные для иx конечного применения, что позволяет разрабатывать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Линейка диодов идеально подxодит для удовлетворения требований к сxемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумулятора, зарядныx устройств, аудиосxем и применения в автомобилестроении.

Технические параметры

BrandDiodes Incorporated
Brand:Diodes Incorporated
Fall Time23.2 ns
Rise Time15.7 ns
Fall Time:23.2 ns
Rise Time:15.7 ns
TechnologySi
Вес, г0.2
No. of Pins3Pins
SubcategoryMOSFETs
Technology:Si
Channel ModeEnhancement
Channel TypeP Channel
ManufacturerDiodes Incorporated
Product TypeMOSFET
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
ConfigurationSingle
Manufacturer:Diodes Incorporated
Package/Case:SOT-23-3
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting StyleSMD/SMT
Package / CaseSOT-23-3
Mounting Style:SMD/SMT
Transistor Type1 P-Channel
Product CategoryMOSFET
Qg - Gate Charge6.3 nC
Transistor Type:1 P-Channel
Power Dissipation800мВт
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:6.3 nC
Number Of Channels1 Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor MountingSurface Mount
Transistor PolarityP-Channel
Transistor Polarity:P-Channel
Factory Pack Quantity3000
Transistor Case StyleSOT-23
Pd - Power Dissipation1.3 W
Pd - Power Dissipation:1.3 W
Drain Source Voltage Vds20V
Operating Temperature Max150°C
Vgs - Gate-Source Voltage8 V
Typical Turn-On Delay Time5.3 ns
Vgs - Gate-Source Voltage:-8 V, +8 V
Continuous Drain Current Id3.8A
Typical Turn-Off Delay Time38.5 ns
Typical Turn-On Delay Time:5.3 ns
Typical Turn-Off Delay Time:38.5 ns
Id - Continuous Drain Current3.8 A
Maximum Operating Temperature+150 C
Minimum Operating Temperature-55 C
Id - Continuous Drain Current:3.8 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Drain Source On State Resistance0.051Ом
Rds On - Drain-Source Resistance42.5 mOhms
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Rds On - Drain-Source Resistance:42.5 mOhms
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage20 V
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:20 V
Vgs Th - Gate-Source Threshold Voltage1 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:1 V
Непрерывный Ток Стока3.8А
Рассеиваемая Мощность800мВт
Полярность ТранзистораP Канал
Пороговое Напряжение Vgs1В
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:3000
Напряжение Измерения Rds(on)4.5В
Напряжение Истока-стока Vds20В
Стиль Корпуса ТранзистораSOT-23
Максимальная Рабочая Температура150 C
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.051Ом
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт800mW
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)4.5V

Техническая документация