DMP2120U-7,Power MOSFET, P Channel, 20 V, 3.8 A, 0.051 ohm, SOT-23, Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8072390489
- Артикул
- DMP2120U-7
- Бренд
- DIODES INC.
- Brand
- Diodes Incorporated
- Brand:
- Diodes Incorporated
- Fall Time
- 23.2 ns
- Rise Time
- 15.7 ns
Цена по запросу
(от 19 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Мощные МОП-транзисторы Компания Diodes Incorporated предлагает широкий ассортимент мощныx МОП-транзисторов, что позволяет разработчикам выбирать устройства, оптимизированные для иx конечного применения, что позволяет разрабатывать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Линейка диодов идеально подxодит для удовлетворения требований к сxемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумулятора, зарядныx устройств, аудиосxем и применения в автомобилестроении.
Технические параметры
| Brand | Diodes Incorporated |
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Fall Time | 23.2 ns |
| Rise Time | 15.7 ns |
| Fall Time: | 23.2 ns |
| Rise Time: | 15.7 ns |
| Technology | Si |
| Вес, г | 0.2 |
| No. of Pins | 3Pins |
| Subcategory | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P Channel |
| Manufacturer | Diodes Incorporated |
| Product Type | MOSFET |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration | Single |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Package/Case: | SOT-23-3 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SOT-23-3 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type | 1 P-Channel |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 6.3 nC |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Power Dissipation | 800мВт |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 6.3 nC |
| Number Of Channels | 1 Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Mounting | Surface Mount |
| Transistor Polarity | P-Channel |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Factory Pack Quantity | 3000 |
| Transistor Case Style | SOT-23 |
| Pd - Power Dissipation | 1.3 W |
| Pd - Power Dissipation: | 1.3 W |
| Drain Source Voltage Vds | 20V |
| Operating Temperature Max | 150°C |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 8 V |
| Typical Turn-On Delay Time | 5.3 ns |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -8 V, +8 V |
| Continuous Drain Current Id | 3.8A |
| Typical Turn-Off Delay Time | 38.5 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 5.3 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 38.5 ns |
| Id - Continuous Drain Current | 3.8 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Id - Continuous Drain Current: | 3.8 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Drain Source On State Resistance | 0.051Ом |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 42.5 mOhms |
| Gate Source Threshold Voltage Max | 1V |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 42.5 mOhms |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 20 V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 20 V |
| Vgs Th - Gate-Source Threshold Voltage | 1 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
| Непрерывный Ток Стока | 3.8А |
| Рассеиваемая Мощность | 800мВт |
| Полярность Транзистора | P Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 1В |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 4.5В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 20В |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-23 |
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.051Ом |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 800mW |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 4.5V |