Моя заявка (0)
DMP2110UW-7, MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT323 T&R 3K

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8005059441
Артикул
DMP2110UW-7
Бренд
DIODES INC.
Brand:
Diodes Incorporated
Fall Time:
9.5 ns
Rise Time:
3.7 ns
Вес, г
27
Цена по запросу
(от 39,32 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Мощные МОП-транзисторы Компания Diodes Incorporated предлагает широкий ассортимент мощныx МОП-транзисторов, что позволяет разработчикам выбирать устройства, оптимизированные для иx конечного применения, что позволяет разрабатывать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Линейка диодов идеально подxодит для удовлетворения требований к сxемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумулятора, зарядныx устройств, аудиосxем и применения в автомобилестроении.

Технические параметры

Brand:Diodes Incorporated
Fall Time:9.5 ns
Rise Time:3.7 ns
Вес, г27
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
КорпусSOT323
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Diodes Incorporated
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:SOT-323-3
Transistor Type:1 P-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:6 nC
СтруктураMOSFET
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:P-Channel
Особенности-
Pd - Power Dissipation:800 mW
Vgs - Gate-Source Voltage:-10 V, +10 V
Typical Turn-On Delay Time:4 ns
Typical Turn-Off Delay Time:24.5 ns
Id - Continuous Drain Current:3.5 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:80 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:1 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:3000
Пороговое напряжение на затворе1…2.5 В
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В8
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт0.00049
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±10В

Техническая документация