Моя заявка (0)
DMP2100UQ-7, MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT23 T&R 3K

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8025005408
Артикул
DMP2100UQ-7
Бренд
DIODES INC.
Type
1PCSPChannel
Grade
Automotive
FET Type
P-Channel
Vgs (Max)
±10V
Цена по запросу
(от 84 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

P-канал 20 В 4,3 А (Ta) 800 МВт (Ta) для поверxностного монтажа SOT-23-3

Технические параметры

Type1PCSPChannel
GradeAutomotive
FET TypeP-Channel
Vgs (Max)±10V
TechnologyMOSFET(Metal Oxide)
Вес, г6
Корпусsot23
Mounting TypeSurface Mount
QualificationAEC-Q101
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id1.4V @ 250µA
СтруктураMOSFET
Operating Temperature-55°C ~ 150°C(TJ)
Power Dissipation (Pd)800mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs38mOhm @ 3.5A, 10V
Особенности-
Power Dissipation (Max)800mW(Ta)
Supplier Device PackageSOT-23-3
Total Gate Charge (Qg@Vgs)9.1nC@4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs9.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss@Vds)216pF@15V
Continuous Drain Current (Id)4.3A
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds216 pF @ 15 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4.3A(Ta)
Пороговое напряжение на затворе1.4V@250uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В20
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт0.8
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±10В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)38mΩ@3.5A, 10V

Техническая документация