Моя заявка (0)
DMP2100UFU-7, MOSFETs Dual P-Ch Enh FET 20Vdss 10Vgss 0.9W

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8005059437
Артикул
DMP2100UFU-7
Бренд
DIODES INC.
Brand:
Diodes Incorporated
Series:
DMP2100
Fall Time:
396 ns, 396 ns
Rise Time:
144 ns, 144 ns
Цена по запросу
(от 102 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор P-MOSFET x2, полевой, -20В, -4,1А, 0,9Вт, U-DFN2030-6 Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET

Технические параметры

Brand:Diodes Incorporated
Series:DMP2100
Fall Time:396 ns, 396 ns
Rise Time:144 ns, 144 ns
Вес, г0.07
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Diodes Incorporated
Product Type:MOSFET
Configuration:Dual
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:U-DFN2030-6
Transistor Type:2 P-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:21.4 nC
СтруктураMOSFET
Number of Channels:2 Channel
Transistor Polarity:P-Channel
Особенностиполевая сборка
Pd - Power Dissipation:1.9 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-10 V, +10 V
Typical Turn-On Delay Time:70 ns, 70 ns
Typical Turn-Off Delay Time:626 ns, 626 ns
Id - Continuous Drain Current:5.7 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:25 mOhms, 25 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:1.4 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:3000
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В20
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт0.9
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация