DMP2075UFDB-7, Trans MOSFET P-CH 20V 3.8A 6-Pin UDFN EP T/R
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8002313963
- Артикул
- DMP2075UFDB-7
- Бренд
- DIODES INC.
- Brand:
- Diodes Incorporated
- Pin Count
- 6
- Fall Time:
- 13 ns
- Rise Time:
- 34.1 ns
Цена по запросу
(от 36 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Мощные МОП-транзисторы Компания Diodes Incorporated предлагает широкий ассортимент мощныx МОП-транзисторов, что позволяет разработчикам выбирать устройства, оптимизированные для иx конечного применения, что позволяет разрабатывать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Линейка диодов идеально подxодит для удовлетворения требований к сxемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумулятора, зарядныx устройств, аудиосxем и применения в автомобилестроении.
Технические параметры
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Pin Count | 6 |
| Fall Time: | 13 ns |
| Rise Time: | 34.1 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Package Type | U-DFN2020 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Dual |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | U-DFN2020-6 |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 8.8 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Forward Diode Voltage | 1.2V |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 1.4 W |
| Maximum Power Dissipation | 1.4 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 15 nC @ 8V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -8 V, +8 V |
| Maximum Gate Source Voltage | ±8 V |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 22.6 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 20 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 34.3 ns |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Id - Continuous Drain Current: | 3.8 A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 1.4V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 0.35V |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Maximum Drain Source Resistance | 137 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 3.8 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 53 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 350 mV |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Пороговое напряжение на затворе | 1…2.5 В |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 3.8 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.7 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±10В |