Моя заявка (0)
DMP2066LSN-7, MOSFETs P-channel 1.25W

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8005475223
Артикул
DMP2066LSN-7
Бренд
DIODES INC.
Width
1.7mm
Pin Count
3
Вес, г
0.01
Длина
3.1 mm
Цена по запросу
(от 72,01 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор P-channel 1.25W

Технические параметры

Width1.7mm
Pin Count3
Вес, г0.01
Длина3.1 mm
СерияDMP2066
Channel ModeEnhancement
Channel TypeP
Package TypeSOT-346
Высота1.3 mm
Ширина1.7 mm
Mounting TypeSurface Mount
ПродуктMOSFET Small Signal
СтруктураP-Channel
Transistor MaterialSi
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Время спада23.4 ns
Особенности-
Тип продуктаMOSFET
Transistor ConfigurationSingle
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Maximum Power Dissipation1.25 W
Typical Gate Charge @ Vgs10.1 nC @ 4.5 V
Maximum Gate Source Voltage-12 V, +12 V
Number of Elements per Chip1
Торговая маркаDiodes Incorporated
Упаковка / блокSC-59-3
Maximum Drain Source Voltage20 V
Maximum Operating Temperature+150 °C
Minimum Operating Temperature-55 °C
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 P-Channel
Maximum Gate Threshold Voltage1.2V
Maximum Drain Source Resistance70 mΩ
Время нарастания9.9 ns
Maximum Continuous Drain Current3.7 A
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Полярность транзистораP-Channel
Pd - рассеивание мощности1.25 W
Id - непрерывный ток утечки4.6 A
Размер фабричной упаковки3000
Vgs - напряжение затвор-исток12 V, + 12 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток40 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток20 V
Пороговое напряжение на затворе-8 V, +8 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Типичное время задержки выключения28 ns
Типичное время задержки при включении4.4 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток600 mV
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.9 S
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт1.25
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация