DMP2035UVT-7, Транзистор P-MOSFET, полевой, -20В, -4,8А, 1,2Вт, TSOT26
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017540758
- Артикул
- DMP2035UVT-7
- Бренд
- DIODES INC.
- Brand:
- Diodes Incorporated
- Series:
- DMP2035
- Fall Time:
- 42 ns
- Rise Time:
- 12 ns
Цена по запросу
(от 24,25 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор P-MOSFET, полевой, -20В, -4,8А, 1,2Вт, TSOT26 Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Series: | DMP2035 |
| Fall Time: | 42 ns |
| Rise Time: | 12 ns |
| Вес, г | 0.1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | TSOT-26-6 |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 23.1 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 1.2 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -12 V, +12 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 17 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 94 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 6 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 18 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 35 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.5 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Пороговое напряжение на затворе | -12 V, +12 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 1.2 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 4.8 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.2 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |