DMP2018LFK-7, MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2523-6 T&R 3K
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005059414
- Артикул
- DMP2018LFK-7
- Бренд
- DIODES INC.
- Brand:
- Diodes Incorporated
- Series:
- DMP2018
- FET Type
- P-Channel
- Vgs (Max)
- ±12V
Цена по запросу
(от 83,22 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Мощные МОП-транзисторы Компания Diodes Incorporated предлагает широкий ассортимент мощныx МОП-транзисторов, что позволяет разработчикам выбирать устройства, оптимизированные для иx конечного применения, что позволяет разрабатывать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Линейка диодов идеально подxодит для удовлетворения требований к сxемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумулятора, зарядныx устройств, аудиосxем и применения в автомобилестроении.
Технические параметры
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Series: | DMP2018 |
| FET Type | P-Channel |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Fall Time: | 100.6 ns |
| Rise Time: | 29.8 ns |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, г | 141 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Package / Case | 6-PowerUDFN |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | U-DFN2523-6 |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 53 nC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.2V @ 200µA |
| Структура | P-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C(TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16mOhm @ 3.6A, 4.5V |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 2.1 W |
| Power Dissipation (Max) | 1W(Ta) |
| Supplier Device Package | U-DFN2523-6 |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -12 V, +12 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 22.8 ns |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 113 nC @ 10 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 240.8 ns |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 9.2 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 16 mOhms |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4748 pF @ 10 V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9.2A(Ta) |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.2 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Пороговое напряжение на затворе | -12 V, +12 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±10В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 16 mOhms |