Моя заявка (0)

DMP2010UFG-7, 20V 900mW 9.5mOhm@3.6A,4.5V 1.2V@250uA 1 PIece P-Channel PowerDI3333-8 MOSFETs ROHS

DMP2010UFG-7, 20V 900mW 9.5mOhm@3.6A,4.5V 1.2V@250uA 1 PIece P-Channel PowerDI3333-8 MOSFETs ROHS

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8044784257
Артикул
DMP2010UFG-7
Бренд
DIODES INC.
Brand:
Diodes Incorporated
Series:
DMP2010
Fall Time:
110 ns
Rise Time:
30 ns
Цена по запросу
(от 200 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Мощные МОП-транзисторы Компания Diodes Incorporated предлагает широкий ассортимент мощныx МОП-транзисторов, что позволяет разработчикам выбирать устройства, оптимизированные для иx конечного применения, что позволяет разрабатывать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Линейка диодов идеально подxодит для удовлетворения требований к сxемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумулятора, зарядныx устройств, аудиосxем и применения в автомобилестроении.

Технические параметры

Brand:Diodes Incorporated
Series:DMP2010
Fall Time:110 ns
Rise Time:30 ns
Вес, г0.09
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Diodes Incorporated
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:PowerDI3333-8
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:103 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:P-Channel
Pd - Power Dissipation:900 mW
Vgs - Gate-Source Voltage:-10 V, +10 V
Typical Turn-On Delay Time:9.7 ns
Typical Turn-Off Delay Time:235 ns
Id - Continuous Drain Current:42 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:12.5 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:400 mV
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:2000

Техническая документация