Моя заявка (0)

Diodes Inc P-Channel MOSFET, 11 A, 20 V, 8-Pin PowerDI3333-8 DMP2008UFG-7

Diodes Inc P-Channel MOSFET, 11 A, 20 V, 8-Pin PowerDI3333-8 DMP2008UFG-7

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8494976773
Артикул
DMP2008UFG-7
Бренд
DIODES INC.
Width
3.35mm
Pin Count
8
Вес, г
6
Channel Mode
Enhancement
Цена по запросу
(от 53 ₽)
Минимальный заказ: 25 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Width3.35mm
Pin Count8
Вес, г6
Channel ModeEnhancement
Channel TypeP
Package TypePowerDI3333-8
Mounting TypeSurface Mount
Power Dissipation41Вт
СтруктураP-Channel
Transistor MaterialSi
Особенности-
Transistor ConfigurationSingle
Maximum Power Dissipation41 W
Typical Gate Charge @ Vgs72 nC @ 4.5 V
Maximum Gate Source Voltage-8 V, +8 V
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage20 V
Maximum Operating Temperature+150 °C
Minimum Operating Temperature-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage1V
Maximum Drain Source Resistance17 mΩ
Drain Source On State Resistance0.008Ом
Maximum Continuous Drain Current11 A
Количество Выводов8вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Непрерывный Ток Стока54А
Рассеиваемая Мощность41Вт
Полярность ТранзистораP Канал
Пороговое Напряжение Vgs1В
Напряжение Измерения Rds(on)4.5В
Напряжение Истока-стока Vds20В
Стиль Корпуса ТранзистораPowerDI 3333
Максимальная Рабочая Температура150 C
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В20
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.008Ом
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А11
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±10В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.008 Ом

Техническая документация