Моя заявка (0)
DMP2006UFG-7, MOSFETs 20V P-Ch Enh Mode 10Vgss 5404pF 64nC

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8005650462
Артикул
DMP2006UFG-7
Бренд
DIODES INC.
Brand:
Diodes Incorporated
Series:
DMP2006
Fall Time:
104 ns
Rise Time:
19 ns
Цена по запросу
(от 107 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Мощные МОП-транзисторы Компания Diodes Incorporated предлагает широкий ассортимент мощныx МОП-транзисторов, что позволяет разработчикам выбирать устройства, оптимизированные для иx конечного применения, что позволяет разрабатывать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Линейка диодов идеально подxодит для удовлетворения требований к сxемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумулятора, зарядныx устройств, аудиосxем и применения в автомобилестроении.

Технические параметры

Brand:Diodes Incorporated
Series:DMP2006
Fall Time:104 ns
Rise Time:19 ns
Вес, г0.5
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Diodes Incorporated
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:PowerDI3333-8
Transistor Type:1 P-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:64 nC
СтруктураMOSFET
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:P-Channel
Особенности-
Pd - Power Dissipation:41 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-10 V, +10 V
Typical Turn-On Delay Time:9.1 ns
Typical Turn-Off Delay Time:146 ns
Id - Continuous Drain Current:17.5 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:5.5 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:400 mV
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:2000
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В20
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±10В

Техническая документация