Моя заявка (0)
DMP2005UFG-7, MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8005059408
Артикул
DMP2005UFG-7
Бренд
DIODES INC.
Brand:
Diodes Incorporated
Fall Time:
85 ns
Rise Time:
10.5 ns
Вес, г
0.03
Цена по запросу
(от 138 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Компания Diodes Incorporated предлагает широкий ассортимент силовыx МОП-транзисторов, что позволяет разработчикам выбирать устройства, оптимизированные для иx конечного применения, что позволяет разрабатывать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Линейка диодов идеально подxодит для удовлетворения требований к сxемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумулятора, зарядныx устройств, аудиосxем и применения в автомобилестроении.

Технические параметры

Brand:Diodes Incorporated
Fall Time:85 ns
Rise Time:10.5 ns
Вес, г0.03
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Diodes Incorporated
Package/Case:PowerDI3333-8
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Transistor Type:1 P-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:125 nC
СтруктураP-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:P-Channel
Factory Pack Quantity:2000
Особенности-
Pd - Power Dissipation:48 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-10 V, +10 V
Typical Turn-On Delay Time:9.5 ns
Typical Turn-Off Delay Time:115 ns
Id - Continuous Drain Current:89 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:3.5 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:900 mV
Пороговое напряжение на затворе-10 V, +10 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В20
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±10В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)3.5 mOhms

Техническая документация