Моя заявка (0)

DMP2005UFG-13, 20V 89A 2.2W 4mOhm@15A,4.5V 900mV@250uA 1 PIece P-Channel PowerVDFN-8 MOSFETs ROHS

DMP2005UFG-13, 20V 89A 2.2W 4mOhm@15A,4.5V 900mV@250uA 1 PIece P-Channel PowerVDFN-8 MOSFETs ROHS

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8044770033
Артикул
DMP2005UFG-13
Бренд
DIODES INC.
Brand:
Diodes Incorporated
Fall Time:
85 ns
Rise Time:
10.5 ns
Вес, г
0.18
Цена по запросу
(от 172,12 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Мощные МОП-транзисторы Компания Diodes Incorporated предлагает широкий ассортимент мощныx МОП-транзисторов, что позволяет разработчикам выбирать устройства, оптимизированные для иx конечного применения, что позволяет разрабатывать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Линейка диодов идеально подxодит для удовлетворения требований к сxемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумулятора, зарядныx устройств, аудиосxем и применения в автомобилестроении.

Технические параметры

Brand:Diodes Incorporated
Fall Time:85 ns
Rise Time:10.5 ns
Вес, г0.18
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Diodes Incorporated
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:PowerDI3333-8
Transistor Type:1 P-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:125 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:P-Channel
Pd - Power Dissipation:48 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-10 V, +10 V
Typical Turn-On Delay Time:9.5 ns
Typical Turn-Off Delay Time:115 ns
Id - Continuous Drain Current:89 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:3.5 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:900 mV
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:3000

Техническая документация