DMP2002UPS-13, Транзистор: P-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017566941
- Артикул
- DMP2002UPS-13
- Бренд
- DIODES INC.
- Brand:
- Diodes Incorporated
- Series:
- DMP2002
- FET Type
- P-Channel
- Vgs (Max)
- ±12V
Цена по запросу
(от 207 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
P-канал 20 В 60 А (Tc) 2,3 Вт (Ta) для поверxностного монтажа PowerDI5060-8 (тип K)
Технические параметры
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Series: | DMP2002 |
| FET Type | P-Channel |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Tradename: | PowerDI |
| Вес, г | 13 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | PowerDI5060-K-8 |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 282 nC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.4V @ 250µA |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C(TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.9mOhm @ 25A, 10V |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 104 W |
| Power Dissipation (Max) | 2.3W(Ta) |
| Supplier Device Package | PowerDI5060-8(Type K) |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -12 V, +12 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 585 nC @ 10 V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 42 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 3.8 mOhms |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 12826 pF @ 10 V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 60A(Tc) |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.4 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Пороговое напряжение на затворе | -12 V, +12 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 104 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 3.8 mOhms |