Моя заявка (0)
DMP1100UCB4-7, Транзистор: P-MOSFET

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8064267928
Артикул
DMP1100UCB4-7
Бренд
DIODES INC.
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Series
Automotive, AEC-Q101 ->
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Цена по запросу
(от 35 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор МОП-транзистор BVDSS: 8V-24V

Технические параметры

ECCNEAR99
HTSUS8541.21.0095
SeriesAutomotive, AEC-Q101 ->
PackageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
FET TypeP-Channel
Vgs (Max)В±8V
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Вес, г1
RoHS StatusROHS3 Compliant
REACH StatusREACH Unaffected
Mounting TypeSurface Mount
Package / Case4-UFBGA, WLBGA
Vgs(th) (Max) @ Id800mV @ 250ВµA
Base Product NumberDMP1100 ->
ТехнологияSi
Operating Temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Вид монтажаSMD/SMT
Rds On (Max) @ Id, Vgs83mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max)670mW (Ta)
Supplier Device PackageX2-WLB0808-4
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Торговая маркаDiodes Incorporated
Упаковка / блокU-WLB0808-4
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs14nC @ 4.5V
Канальный режимEnhancement
Drain to Source Voltage (Vdss)12V
Qg - заряд затвора14 nC
Moisture Sensitivity Level (MSL)1 (Unlimited)
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds820pF @ 6V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.3V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C2.5A (Ta)
Полярность транзистораP-Channel
Pd - рассеивание мощности1.1 W
Id - непрерывный ток утечки2.5 A
Размер фабричной упаковки3000
Vgs - напряжение затвор-исток8 V, + 8 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток400 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток12 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток800 mV

Техническая документация