DMP1100UCB4-7,Power MOSFET, P Channel, 12 V, 2.5 A, 0.065 ohm, X2-WLB0808, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8013251702
- Артикул
- DMP1100UCB4-7
- Бренд
- DIODES INC.
- ECCN
- EAR99
- HTSUS
- 8541.21.0095
- Series
- Automotive, AEC-Q101 ->
- Package
- Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Цена по запросу
(от 103 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор МОП-транзистор BVDSS: 8V-24V
Технические параметры
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.21.0095 |
| Series | Automotive, AEC-Q101 -> |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| FET Type | P-Channel |
| Vgs (Max) | В±8V |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Вес, г | 0.001 |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 4-UFBGA, WLBGA |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 800mV @ 250ВµA |
| Структура | P-Channel |
| Base Product Number | DMP1100 -> |
| Технология | Si |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 83mOhm @ 3A, 4.5V |
| Особенности | - |
| Power Dissipation (Max) | 670mW (Ta) |
| Supplier Device Package | X2-WLB0808-4 |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | U-WLB0808-4 |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14nC @ 4.5V |
| Канальный режим | Enhancement |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12V |
| Qg - заряд затвора | 14 nC |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 820pF @ 6V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.3V, 4.5V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 2.5A (Ta) |
| Полярность транзистора | P-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 1.1 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 2.5 A |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 8 V, + 8 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 400 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 12 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 800 mV |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 12 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 2.5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±10В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.065 Ом |