Моя заявка (0)

DMP10H4D2S-7, Транзистор P-MOSFET, полевой, -100В, -0,21А, 0,38Вт, SOT23

DMP10H4D2S-7, Транзистор P-MOSFET, полевой, -100В, -0,21А, 0,38Вт, SOT23

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8025008693
Артикул
DMP10H4D2S-7
Бренд
DIODES INC.
Type
1PCSPChannel
FET Type
P-Channel
Vgs (Max)
±20V
Technology
MOSFET(Metal Oxide)
Цена по запросу
(от 68,37 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

P-канал 100 В 270 мА (Ta) 380 МВт (Ta) для поверxностного монтажа SOT-23-3

Технические параметры

Type1PCSPChannel
FET TypeP-Channel
Vgs (Max)±20V
TechnologyMOSFET(Metal Oxide)
Вес, г0.02
Корпусsot23
Mounting TypeSurface Mount
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA
СтруктураMOSFET
Operating Temperature-55°C ~ 150°C(TJ)
Power Dissipation (Pd)380mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs4.2Ohm @ 500mA, 10V
Особенности-
Power Dissipation (Max)380mW(Ta)
Supplier Device PackageSOT-23-3
Total Gate Charge (Qg@Vgs)1.8nC@10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs1.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss@Vds)87pF@25V
Continuous Drain Current (Id)270mA
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds87 pF @ 25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C270mA(Ta)
Пороговое напряжение на затворе3V@250uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А0.21
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт0.38
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)4.2Ω@10V, 500mA

Техническая документация