DMP10H400SE-13, Транзистор P-MOSFET, полевой, -100В, -2,1А, 2Вт, SOT223
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017563095
- Артикул
- DMP10H400SE-13
- Бренд
- DIODES INC.
- Case
- SOT223
- Brand
- Diodes Incorporated
- Series
- DMP10H400
- Mounting
- SMD
Цена по запросу
(от 65,57 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Case | SOT223 |
| Brand | Diodes Incorporated |
| Series | DMP10H400 |
| Mounting | SMD |
| Fall Time | 34.4 ns |
| Packaging | Cut Tape or Reel |
| Rise Time | 14.9 ns |
| Technology | Si |
| Вес, г | 0.1 |
| Subcategory | MOSFETs |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P Channel |
| Manufacturer | Diodes Incorporated |
| Polarisation | unipolar |
| Product Type | MOSFET |
| Корпус | SOT223 |
| Configuration | Single |
| Drain current | -2.1A |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SOT-223-4 |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | reel, tape |
| Transistor Type | 1 P-Channel |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 8.4 nC |
| Power Dissipation | 2Вт |
| Number Of Channels | 1 Channel |
| Type of transistor | P-MOSFET |
| Структура | MOSFET |
| Gate-source voltage | ±20V |
| On-state resistance | 0.3Ω |
| Transistor Polarity | P-Channel |
| Drain-source voltage | -100V |
| Factory Pack Quantity | 2500 |
| Pd - Power Dissipation | 13.7 W |
| Особенности | - |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 10 V |
| Typical Turn-On Delay Time | 9.1 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time | 57.4 ns |
| Id - Continuous Drain Current | 6 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Drain Source On State Resistance | 0.203Ом |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 250 mOhms |
| Количество Выводов | 4вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 100 V |
| Vgs Th - Gate-Source Threshold Voltage | 1 V |
| Непрерывный Ток Стока | 6А |
| Рассеиваемая Мощность | 2Вт |
| Полярность Транзистора | P Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 2.2В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 100В |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-223 |
| Пороговое напряжение на затворе | 3V@250uA |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 2 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.203Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 2.1 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |