DMP1055USW-7, MOSFETs Dual P-Ch Enh FET Vdss -12V 8Vgss
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004701700
- Артикул
- DMP1055USW-7
- Бренд
- DIODES INC.
- Brand:
- Diodes Incorporated
- Series:
- DMP1055
- Вес, г
- 192
- Technology:
- Si
Цена по запросу
(от 54,87 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор Dual P-Ch Enh FET Vdss -12V 8Vgss
Технические параметры
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Series: | DMP1055 |
| Вес, г | 192 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Package/Case: | SOT-363-6 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 13 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Особенности | полевая сборка |
| Pd - Power Dissipation: | 1.03 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -8 V, +8 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 3.8 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 150 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 12 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Пороговое напряжение на затворе | -8 V, +8 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 12 V |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±10В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 150 mOhms |