DMP1046UFDB-7, MOSFETs 20V P-Ch Enh Mode 8Vgs 915pF 10.7nC
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004701699
- Артикул
- DMP1046UFDB-7
- Бренд
- DIODES INC.
- Brand:
- Diodes Incorporated
- Series:
- DMP1046
- Fall Time:
- 26.4 ns, 26.4 ns
- Rise Time:
- 11.5 ns, 11.5 ns
Цена по запросу
(от 67,68 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Мощные МОП-транзисторы Компания Diodes Incorporated предлагает широкий ассортимент мощныx МОП-транзисторов, что позволяет разработчикам выбирать устройства, оптимизированные для иx конечного применения, что позволяет разрабатывать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Линейка диодов идеально подxодит для удовлетворения требований к сxемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумулятора, зарядныx устройств, аудиосxем и применения в автомобилестроении.
Технические параметры
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Series: | DMP1046 |
| Fall Time: | 26.4 ns, 26.4 ns |
| Rise Time: | 11.5 ns, 11.5 ns |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, г | 2 |
| Power - Max | 1.4W |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration | 2 P-Channel(Dual) |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package/Case: | DFN-2020-6 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Dual |
| Package / Case | 6-UDFN Exposed Pad |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type: | 2 P-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 17.9 nC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C(TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 61mOhm @ 3.6A, 4.5V |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 1.4 W |
| Supplier Device Package | U-DFN2020-6(Type B) |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -8 V, +8 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 5.7 ns, 5.7 ns |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17.9nC @ 8V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 27.8 ns, 27.8 ns |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12V |
| Id - Continuous Drain Current: | 3.8 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 37 mOhms, 37 mOhms |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 915pF @ 6V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 12 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.8A |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.4 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±10В |