DMP1045UQ-7, SOT-23 MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017640850
- Артикул
- DMP1045UQ-7
- Бренд
- DIODES INC.
- Type
- 1PCSPChannel
- Brand:
- Diodes Incorporated
- Fall Time:
- 106.9 ns
- Rise Time:
- 23.3 ns
Цена по запросу
(от 32,47 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
12 В 4A 31 Мом при 4A, 4,5 В 800 МВт 1 В при 250uA 1 шт. канальные МОП-транзисторы SOT-23 ROHS
Технические параметры
| Type | 1PCSPChannel |
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Fall Time: | 106.9 ns |
| Rise Time: | 23.3 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Корпус | SOT-23 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Package/Case: | SOT-23-3 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 15.8 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Power Dissipation (Pd) | 800mW |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 1.3 W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 15.8nC@4.5V |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 12V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 15.7 ns |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 1.357nF@10V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 91.2 ns |
| Continuous Drain Current (Id) | 4A |
| Id - Continuous Drain Current: | 5.2 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 1V@250uA |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 300 mV |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 31mΩ@4A, 4.5V |
| Пороговое напряжение на затворе | 1V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 12 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.3 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 31mΩ@4A, 4.5V |