Моя заявка (0)

DMP1045U-7, Транзистор P-MOSFET, полевой, -12В, -3,1А, 800мВт, SOT23

DMP1045U-7, Транзистор P-MOSFET, полевой, -12В, -3,1А, 800мВт, SOT23

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8048099740
Артикул
DMP1045U-7
Бренд
DIODES INC.
PPAP
No
Width
1.4mm
EU RoHS
Compliant
Mounting
Surface Mount
Цена по запросу
(от 13 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Транзистор MOSFET P-CH 12V 5.2A с 3-контактным разъемом SOT-23 T/R

Технические параметры

PPAPNo
Width1.4mm
EU RoHSCompliant
MountingSurface Mount
ECCN (US)EAR99
PackagingTape and Reel
Pin Count3
AutomotiveNo
Lead ShapeGull-wing
Вес, г0.02
PCB changed3
Part StatusActive
Channel ModeEnhancement
Channel TypeP
Package TypeSOT-23
Корпусsot23
ConfigurationSingle
Mounting TypeSurface Mount
Product CategoryPower MOSFET
Supplier PackageSOT-23
СтруктураMOSFET
Transistor MaterialSi
Standard Package NameSOT-23
Typical Fall Time (ns)106.9
Typical Rise Time (ns)23.3
Особенности-
Transistor ConfigurationSingle
Maximum Power Dissipation1.3 W
Typical Gate Charge @ Vgs15.8 nC @ 4.5 V
Supplier Temperature GradeAutomotive
Maximum Gate Source Voltage-8 V, +8 V
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage12 V
Maximum Operating Temperature+150 °C
Minimum Operating Temperature-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage1V
Maximum Power Dissipation (mW)1300
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)15.8 4.5V
Maximum Drain Source Resistance75 mΩ
Maximum Gate Source Voltage (V)±8
Typical Turn-On Delay Time (ns)15.7
Maximum Continuous Drain Current5.2 A
Maximum Drain Source Voltage (V)12
Typical Turn-Off Delay Time (ns)91.2
Maximum Operating Temperature (°C)150
Minimum Operating Temperature (°C)-55
Maximum Continuous Drain Current (A)5.2
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)1357 10V
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)31 4.5V
Пороговое напряжение на затворе1…2.5 В
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А3.1
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт0.8
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация