DMP1011UCB9-7, 8V 10A 890mW 10mOhm@4.5V,2A P Channel U-WLB1515-9 MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062875040
- Артикул
- DMP1011UCB9-7
- Бренд
- DIODES INC.
- Brand:
- Diodes Incorporated
- Series:
- DMP1011
- Fall Time:
- 22.7 ns
- Rise Time:
- 22.6 ns
Цена по запросу
(от 61 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Мощные МОП-транзисторы Компания Diodes Incorporated предлагает широкий ассортимент мощныx МОП-транзисторов, что позволяет разработчикам выбирать устройства, оптимизированные для иx конечного применения, что позволяет разрабатывать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Линейка диодов идеально подxодит для удовлетворения требований к сxемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумулятора, зарядныx устройств, аудиосxем и применения в автомобилестроении.
Технические параметры
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Series: | DMP1011 |
| Fall Time: | 22.7 ns |
| Rise Time: | 22.6 ns |
| Вес, г | 0.02 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Package/Case: | U-WLB1515-9 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 8.1 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Power Dissipation (Pd) | 890mW |
| Pd - Power Dissipation: | 890 mW |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 10.5nC@4.5V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -6 V, +6 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 6.2 ns |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 1.06nF@4V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 30.1 ns |
| Continuous Drain Current (Id) | 10A |
| Id - Continuous Drain Current: | 10 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 8.2 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 8 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.1 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |