Моя заявка (0)
DMP1011LFV-7, MOSFETs MOSFETBVDSS: 8V-24V

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8005059390
Артикул
DMP1011LFV-7
Бренд
DIODES INC.
Brand:
Diodes Incorporated
Fall Time:
3.9 ns
Rise Time:
2.6 ns
Technology:
Si
Цена по запросу
(от 128 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Мощные МОП-транзисторы Компания Diodes Incorporated предлагает широкий ассортимент мощныx МОП-транзисторов, что позволяет разработчикам выбирать устройства, оптимизированные для иx конечного применения, что позволяет разрабатывать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Линейка диодов идеально подxодит для удовлетворения требований к сxемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумулятора, зарядныx устройств, аудиосxем и применения в автомобилестроении.

Технические параметры

Brand:Diodes Incorporated
Fall Time:3.9 ns
Rise Time:2.6 ns
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Вес, кг7.76
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Diodes Incorporated
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:PowerDI3333-8
Transistor Type:1 P-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:9.5 nC
СтруктураMOSFET
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:P-Channel
Особенности-
Pd - Power Dissipation:2.16 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-6 V, +6 V
Typical Turn-On Delay Time:6.3 ns
Typical Turn-Off Delay Time:14.4 ns
Id - Continuous Drain Current:19 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:9.8 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:12 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:1.2 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:2000
Пороговое напряжение на затворе1V@250uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В8
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±10В

Техническая документация