Моя заявка (0)

DMP1009UFDFQ-7, 12V 11A 11mOhm@5A,4.5V 2W 1V@250uA 1 PIece P-Channel UDFN2020-6 MOSFETs ROHS

DMP1009UFDFQ-7, 12V 11A 11mOhm@5A,4.5V 2W 1V@250uA 1 PIece P-Channel UDFN2020-6 MOSFETs ROHS

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8070224372
Артикул
DMP1009UFDFQ-7
Бренд
DIODES INC.
Series
DMP1009
Pin Count
6
Вес, г
1
Channel Mode
Enhancement
Цена по запросу
(от 137 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор МОП-транзистор BVDSS: 8V 24V U-DFN2020-6 T&R 3K

Технические параметры

SeriesDMP1009
Pin Count6
Вес, г1
Channel ModeEnhancement
Channel TypeP
Package TypeU-DFN2020
Mounting TypeSurface Mount
УпаковкаReel, Cut Tape
Transistor MaterialSi
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Время спада61 ns
Тип продуктаMOSFET
КвалификацияAEC-Q101
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Number of Elements per Chip1
Торговая маркаDiodes Incorporated
Упаковка / блокU-DFN2020-6
Maximum Drain Source Voltage12 V
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 P-Channel
Maximum Gate Threshold Voltage1V
Qg - заряд затвора44 nC
Maximum Drain Source Resistance0.03 Ω
Время нарастания10.6 ns
Maximum Continuous Drain Current15 A
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Полярность транзистораP-Channel
Pd - рассеивание мощности800 mW
Id - непрерывный ток утечки11 A
Размер фабричной упаковки3000
Vgs - напряжение затвор-исток8 V, + 8 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток11 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток12 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Типичное время задержки выключения62.2 ns
Типичное время задержки при включении7 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток1 V

Техническая документация