Моя заявка (0)

Diodes Inc P-Channel MOSFET, 11 A, 12 V, 6-Pin U-DFN2020 DMP1009UFDF-7

Diodes Inc P-Channel MOSFET, 11 A, 12 V, 6-Pin U-DFN2020 DMP1009UFDF-7

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8014511291
Артикул
DMP1009UFDF-7
Бренд
DIODES INC.
Width
2.05mm
Pin Count
6
Вес, г
1
Channel Mode
Enhancement
Цена по запросу
(от 70,10 ₽)
Минимальный заказ: 50 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Этот МОП-транзистор разработан таким образом, чтобы свести к минимуму сопротивление в режиме включения (RDS(ON)) и при этом соxранить превосxодные xарактеристики переключения, что делает его идеальным для высокоэффективныx систем управления питанием.

Технические параметры

Width2.05mm
Pin Count6
Вес, г1
Channel ModeEnhancement
Channel TypeP
Package TypeU-DFN2020
Mounting TypeSurface Mount
Power Dissipation2Вт
СтруктураP-Channel
Forward Diode Voltage1.2V
Особенности-
Transistor ConfigurationSingle
Maximum Power Dissipation2 W
Typical Gate Charge @ Vgs44 nC @ 8V
Maximum Gate Source Voltage±8 V
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage12 V
Maximum Operating Temperature+150 °C
Minimum Operating Temperature-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage1V
Minimum Gate Threshold Voltage0.3V
Maximum Drain Source Resistance30 mΩ
Drain Source On State Resistance0.0083Ом
Maximum Continuous Drain Current11 A
Количество Выводов6вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Непрерывный Ток Стока11А
Рассеиваемая Мощность2Вт
Полярность ТранзистораP Канал
Пороговое Напряжение Vgs1В
Напряжение Измерения Rds(on)4.5В
Напряжение Истока-стока Vds12В
Стиль Корпуса ТранзистораU-DFN2020
Максимальная Рабочая Температура150°C
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В12
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.0083Ом
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А11
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт2
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±10В

Техническая документация