DMNH6042SPDQ-13, Transistor: N-MOSFET; unipolar
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070058290
- Артикул
- DMNH6042SPDQ-13
- Бренд
- DIODES INC.
- Вес, г
- 0.1
- Технология
- Si
- Вид монтажа
- SMD/SMT
- Тип продукта
- MOSFET
Цена по запросу
(от 137,99 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор МОП-транзистор BVDSS: 41V-60V
Технические параметры
| Вес, г | 0.1 |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Тип продукта | MOSFET |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Конфигурация | Dual |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | PowerDI5060-C-8 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Qg - заряд затвора | 8.8 nC |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 2 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 2.5 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 5.7 A |
| Размер фабричной упаковки | 2500 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 50 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V |