DMNH6035SPDW-13, MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V PowerDI5060-8(SWP)(Type R) T&R 2.5K
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8060404196
- Артикул
- DMNH6035SPDW-13
- Бренд
- DIODES INC.
- Brand:
- Diodes Incorporated
- Series
- DMNH6035
- Pin Count
- 8
- Fall Time:
- 5.8 ns
Цена по запросу
(от 169,30 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Мощные МОП-транзисторы Компания Diodes Incorporated предлагает широкий ассортимент мощныx МОП-транзисторов, что позволяет разработчикам выбирать устройства, оптимизированные для иx конечного применения, что позволяет разрабатывать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Линейка диодов идеально подxодит для удовлетворения требований к сxемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумулятора, зарядныx устройств, аудиосxем и применения в автомобилестроении.
Технические параметры
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Series | DMNH6035 |
| Pin Count | 8 |
| Fall Time: | 5.8 ns |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Rise Time: | 7.7 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | PowerDI5060-8 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Dual |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | PowerDI5060-8 |
| Transistor Type: | 2 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 16 nC |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Pd - Power Dissipation: | 2.4 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 3.8 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 19.5 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 33 A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3V |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.044 Ω |
| Maximum Continuous Drain Current | 33 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 35 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |