Моя заявка (0)

DMNH6022SSDQ-13, 60V 22.6A 30mOhm@6V,5A 2.1W 3V@250uA 2 N-Channel SO-8 MOSFETs ROHS

DMNH6022SSDQ-13, 60V 22.6A 30mOhm@6V,5A 2.1W 3V@250uA 2 N-Channel SO-8 MOSFETs ROHS

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8044794141
Артикул
DMNH6022SSDQ-13
Бренд
DIODES INC.
Brand:
Diodes Incorporated
Series:
DMNH6022SSDQ
Вес, г
1
Technology:
Si
Цена по запросу
(от 185 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Автомобильные МОП-транзисторы Встроенные в диоды автомобильные МОП-транзисторы отвечают строгим требованиям стандарта надежности AEC-Q101 Совета по автомобильной электронике (Automotive Electronics Council). Продукты с суффиксом "Q" означают, что они предназначены для использования в автомобилестроении. Это означает, что устройство соответствует строгому стандарту AEC-Q101 и полностью поддерживается для применения в автомобилестроении. МОП-транзисторы обеспечивают поддержку клиентов с помощью PPAP (процесса утверждения производственныx деталей) и производственныx площадок, одобренныx TS16949.

Технические параметры

Brand:Diodes Incorporated
Series:DMNH6022SSDQ
Вес, г1
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Diodes Incorporated
Product Type:MOSFET
Configuration:Dual
Qualification:AEC-Q101
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:SOIC-8
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:32 nC
Number of Channels:2 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Pd - Power Dissipation:2.1 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Id - Continuous Drain Current:22.6 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:27 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:60 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:1 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:2500

Техническая документация