DMNH6021SPSQ-13, Транзистор N-MOSFET, полевой, 60В, 48А, 1,6Вт, PowerDI®5060-8
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070089930
- Артикул
- DMNH6021SPSQ-13
- Бренд
- DIODES INC.
- Вес, г
- 0.1
- Технология
- Si
- Вид монтажа
- SMD/SMT
- Время спада
- 15.3 ns
Цена по запросу
(от 480 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор МОП-транзистор BVDSS: 41V-60V
Технические параметры
| Вес, г | 0.1 |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 15.3 ns |
| Тип продукта | MOSFET |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | PowerDI5060-8 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Qg - заряд затвора | 19.7 nC |
| Время нарастания | 13 ns |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 53 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 55 A |
| Размер фабричной упаковки | 2500 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 12 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Типичное время задержки выключения | 27.5 ns |
| Типичное время задержки при включении | 4.2 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V |