Моя заявка (0)
DMNH6012SPSQ-13, MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8005059385
Артикул
DMNH6012SPSQ-13
Бренд
DIODES INC.
Brand:
Diodes Incorporated
Вес, г
371
Technology:
Si
Subcategory:
MOSFETs
Цена по запросу
(от 185,39 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Автомобильные МОП-транзисторы Встроенные в диоды автомобильные МОП-транзисторы отвечают строгим требованиям стандарта надежности AEC-Q101 Совета по автомобильной электронике (Automotive Electronics Council). Продукты с суффиксом "Q" означают, что они предназначены для использования в автомобилестроении. Это означает, что устройство соответствует строгому стандарту AEC-Q101 и полностью поддерживается для применения в автомобилестроении. МОП-транзисторы обеспечивают поддержку клиентов с помощью PPAP (процесса утверждения производственныx деталей) и производственныx площадок, одобренныx TS16949.

Технические параметры

Brand:Diodes Incorporated
Вес, г371
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Diodes Incorporated
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Qualification:AEC-Q101
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:PowerDI5060-8
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:35.2 nC
СтруктураMOSFET
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Особенности-
Pd - Power Dissipation:3.1 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Id - Continuous Drain Current:50 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:11 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:60 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:2500
Пороговое напряжение на затворе3V@250uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В41
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт1.6
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация