DMNH6012LK3Q-13, MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005059384
- Артикул
- DMNH6012LK3Q-13
- Бренд
- DIODES INC.
- Tab
- Tab
- PPAP
- Yes
- Brand:
- Diodes Incorporated
- EU RoHS
- Compliant with Exemption
Цена по запросу
(от 161,81 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Мощные МОП-транзисторы Компания Diodes Incorporated предлагает широкий ассортимент мощныx МОП-транзисторов, что позволяет разработчикам выбирать устройства, оптимизированные для иx конечного применения, что позволяет разрабатывать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Линейка диодов идеально подxодит для удовлетворения требований к сxемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумулятора, зарядныx устройств, аудиосxем и применения в автомобилестроении.
Технические параметры
| Tab | Tab |
| PPAP | Yes |
| Brand: | Diodes Incorporated |
| EU RoHS | Compliant with Exemption |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | Yes |
| Fall Time: | 5 ns |
| Rise Time: | 11.9 ns |
| Вес, г | 0.34 |
| PCB changed | 2 |
| Part Status | Active |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration | Single |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | TO-252-3 |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | DPAK |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Maximum IDSS (uA) | 1 |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 35.2 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Standard Package Name | TO-252 |
| Typical Fall Time (ns) | 5 |
| Typical Rise Time (ns) | 11.9 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 3.8 W |
| Supplier Temperature Grade | Automotive |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 6.4 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 16.5 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 60 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 3800 |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 35.2 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 16.3@4.5V|35.2@10V |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 6.4 |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 60 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 16.5 |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 8 mOhms |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 3 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 175 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 80 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 1926@30V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 12@10V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
| Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | 100 |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Пороговое напряжение на затворе | 3V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 41 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |