Моя заявка (0)

DMNH6008SCTQ, Trans MOSFET N-CH 60V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube Automotive AEC-Q101

DMNH6008SCTQ, Trans MOSFET N-CH 60V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube Automotive AEC-Q101

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8002380863
Артикул
DMNH6008SCTQ
Бренд
DIODES INC.
Tab
Tab
PPAP
Yes
SVHC
Yes
Mounting
Through Hole
Цена по запросу
(от 230 ₽)
Минимальный заказ: 150 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Транзистор MOSFET N-CH 60V 130A с 3-контактным разъемом (3 + вкладки) TO-220AB Tube Автомобильный AEC-Q101

Технические параметры

TabTab
PPAPYes
SVHCYes
MountingThrough Hole
PackagingTube
Pin Count3
AutomotiveYes
Вес, г1
PCB changed3
Part StatusActive
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
КорпусTO-220AB
ConfigurationSingle
Package Width4.82(Max)mm
Package Length10.66(Max)mm
Product CategoryPower MOSFET
Supplier PackageTO-220AB
Maximum IDSS (uA)1
СтруктураN-Channel
Standard Package NameTO
SVHC Exceeds ThresholdYes
Typical Fall Time (ns)3.4
Typical Rise Time (ns)5
Особенностиавтомобильные приложения
Supplier Temperature GradeAutomotive
Number of Elements per Chip1
Maximum Power Dissipation (mW)210000
Typical Gate Charge @ 10V (nC)40
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)21@4.5V|40@10V
Maximum Gate-Source Voltage (V)20
Typical Turn-On Delay Time (ns)5.7
Maximum Drain-Source Voltage (V)60
Typical Turn-Off Delay Time (ns)15.6
Maximum Gate Threshold Voltage (V)4
Maximum Operating Temperature (°C)175
Minimum Operating Temperature (°C)-55
Maximum Continuous Drain Current (A)130
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)2596@30V
Maximum Drain-Source Resistance (mOhm)8@10V
Maximum Gate-Source Leakage Current (nA)100
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А130
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация