DMNH6008SCT, Транзистор: N-MOSFET; 60В; 90А; Idm: 200А; 100Вт; TO220AB
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8022166660
- Артикул
- DMNH6008SCT
- Бренд
- DIODES INC.
- Case
- TO220AB
- Mounting
- THT
- Вес, г
- 1.87
- Gate charge
- 21nC
Цена по запросу
(от 300 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Case | TO220AB |
| Mounting | THT |
| Вес, г | 1.87 |
| Gate charge | 21nC |
| Manufacturer | DIODES INCORPORATED |
| Polarisation | unipolar |
| Корпус | TO220AB |
| Drain current | 90A |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | tube |
| Power dissipation | 100W |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Структура | MOSFET |
| Gate-source voltage | ±20V |
| On-state resistance | 6mΩ |
| Drain-source voltage | 60V |
| Pulsed drain current | 200A |
| Особенности | - |
| Пороговое напряжение на затворе | 2…4 В |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 90 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 100 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |