DMNH45M7SCT, Транзистор: N-MOSFET; 40В; 155А; Idm: 200А; 96Вт; TO220AB
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8041562989
- Артикул
- DMNH45M7SCT
- Бренд
- DIODES INC.
- Case
- TO220AB
- Brand:
- Diodes Incorporated
- Mounting
- THT
- Packaging:
- Tube
Цена по запросу
(от 310 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор МОП-транзистор BVDSS: 41V-60V
Технические параметры
| Case | TO220AB |
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Mounting | THT |
| Packaging: | Tube |
| Вес, г | 2 |
| Gate charge | 36.1nC |
| Technology: | Si |
| Polarisation | unipolar |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | TO220AB |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Drain current | 155A |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Package/Case: | TO-220-3 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | tube |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Power dissipation | 96W |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 64.7 nC |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Структура | MOSFET |
| Gate-source voltage | ±20V |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| On-state resistance | 3.4Ω |
| Drain-source voltage | 40V |
| Pulsed drain current | 200A |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 50 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 240 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 220 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 6 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 40 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 2…4 В |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 40 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 155 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 96 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |