Моя заявка (0)

DMNH4011SK3Q-13, 40V 50A 10mOhm@50A,10V 2.6W 4V@250uA 1PCSNChannel TO-252 MOSFETs ROHS

DMNH4011SK3Q-13, 40V 50A 10mOhm@50A,10V 2.6W 4V@250uA 1PCSNChannel TO-252 MOSFETs ROHS

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8070155300
Артикул
DMNH4011SK3Q-13
Бренд
DIODES INC.
Brand:
Diodes Incorporated
Вес, г
0.56
Technology:
Si
Subcategory:
MOSFETs
Цена по запросу
(от 201,71 ₽)
Минимальный заказ: 100 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Автомобильные МОП-транзисторы Встроенные в диоды автомобильные МОП-транзисторы отвечают строгим требованиям стандарта надежности AEC-Q101 Совета по автомобильной электронике. Продукты с суффиксом "Q" означают, что продукт относится к автомобильному классу. Это означает, что устройство, оснащенное диодами, соответствует строгому стандарту AEC-Q101 и полностью поддерживается для применения в автомобилестроении. МОП-транзисторы обеспечивают поддержку заказчиков в процессе утверждения производственныx деталей (PPAP) и на производственныx площадкаx, одобренныx TS16949.

Технические параметры

Brand:Diodes Incorporated
Вес, г0.56
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Diodes Incorporated
Package/Case:DPAK-3(TO-252-3)
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Qualification:AEC-Q101
Mounting Style:SMD/SMT
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:25.5 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:2500
Pd - Power Dissipation:50 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Id - Continuous Drain Current:50 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:10 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:40 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2 V

Техническая документация